研究成果の概要 |
イネのRubisco小サブユニット遺伝子OsRBCS3の発現量は窒素により約15倍に増加したが, OsRBCS5遺伝子の発現量の増加は約2倍であった. これは、OsRBCS3はOsRBCS5と比較して窒素による転写活性の増加の程度が大きいためであった。また、OsRBCS3では転写の活性化に関わるヒストンH3のN末端より9番目リジンのアセチル化レベル及び4番目リジンのトリメチル化レベルの窒素による上昇がOsRBCS5よりも大きかった. 以上の結果より, OsRBCS3遺伝子とOsRBCS5遺伝子の窒素による発現はヒストンH3の修飾レベルにより制御されていることが示唆された.
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