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光デバイス応用に優れたタイプI量子ドットにおける、電子・正孔波動関数のコヒーレントな位相差により生じる干渉現象であるアハラノフボーム（AB）効果について研究する。AB効果の光検出は、これまでコアシェル型タイプII量子ドットに限られてきた。そこで、タイプIのGaAs量子ドットを液滴エピタキシーにより複合させた量子リング試料を用いて、リング方向における波動関数の1次元性を利用したAB効果の発現に関する知見を得ることを目的とした。磁場中顕微発光分光により、単一量子リング試料からの発光スペクトルとその磁場依存性の測定を行い、磁場によるゼーマンシフトを考慮した検討を行った。
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