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半導体におけるフォノン系と量子ナノデバイスの電子系とのエネルギー変換に関する研究を進めた。具体的には、AlGaAs/GaAs半導体ヘテロ構造上の周期的金属パターンにより表面弾性波フォノン共振器を形成し、その共振器中に置かれた半導体中二重量子ドットの輸送特性から、電子フォノン結合系を評価した。フォノン支援トンネルの特性から、共振器構造によってフォノン散乱速度が約８０倍に増大することを確認し、さらに、スピン反転を伴うフォノン支援トンネル現象を見出し、電子系とフォノン場とのコヒーレントに結合によるラビ分裂の効果が現れることを示した。フォノン版共振器量子電磁力学への発展性が見込まれる。
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