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スピントロニクスは次世代電子工学の一環として高い期待を集めており、中でもスピン軌道相互作用(SOI)はその多様な物性・素子応用創出への鍵である。また、SOIを持つ物質はトポロジカル絶縁体(TI)になり得る。しかし二次元炭素単原子層「グラフェン」は軽元素であるためSOI・TIの導入は困難であった。本研究では高質量原子(白金・ビスマステルル)の微量修飾によりグラフェンへの数10meVオーダーのSOI(スピンホール効果)の導入に成功した。さらに、二次元TIに基づく可能性を持つ特異な分数量子抵抗値を非局在抵抗において観察することに成功し、その発現機構をさらに調査中である。。
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