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次世代超低消費電力デバイスの実現の材料として、近年二次元層状物質が注目されている。二次元層状物質の持つ物性を最大限に引き出し、実際に電子デバイスに適応するには、機能の源泉となる結晶性がよい単層の原子薄膜を用意すること、すなわち膜厚の一層単位の精密制御が必要不可欠である。我々の独自技術である加工残渣の少ない吸引型プラズマを最適化することにより、層状化合物のデジタルエッチングの可能性を検証し、プラズマによる表面欠陥低減・制御に向けた検討を行った。二硫化モリブデンに対し一層単位のエッチング加工を行いマイクロメーターオーダーのテラス領域を残すことに成功した。
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