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ノンドープGaAs/n型（p型）GaAsエピタキシャル構造を試料として、時間分解テラヘルツ(THz)分光法を用いてTHz電磁波の系統的な測定を行った。時間領域信号のフーリエ変換から、周波数が顕著な励起強度依存性を示す2つのTHzバンドを見出した。縦光学フォノン－プラズモン結合（LOPC）モードの周波数のキャリア濃度依存性に関する理論に基づいて解析を行い、上記の2つのTHzバンドがコヒーレントLOPCモードの上下分枝であること、及び、ノンドープGaAs層での光生成電子濃度によって周波数が決定されることを明らかにした。即ち、コヒーレントLOPCモードからの周波数可変THz電磁波発生を実証した。
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