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2015 年度 実施状況報告書

ヘテロ接合型の光触媒用・半導体複合材料の創生

研究課題

研究課題/領域番号 15K13343
研究機関神奈川県産業技術センター

研究代表者

秋山 賢輔  神奈川県産業技術センター, 化学技術部, 主任研究員 (70426360)

研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2017-03-31
キーワード水素生成 / 新エネルギー / 結晶工学
研究実績の概要

光触媒効果による太陽光を用いた水分解からの水素製造は、その高効率化に向けて可視光応答性が課題となっている。
これに対して本研究は、鉄シリサイド半導体の持つ化学的安定性、0.80eVと狭い禁制帯幅、赤外光領域でも1E5(/cm)以上と大きな光吸収係数を持つことに着目し、「鉄(Fe)とシリコン(Si)で構成されるナローギャップ半導体の鉄シリサイド半導体(β-FeSi2)」と「ワイドバンドギャップの炭化ケイ素(SiC)あるいは酸化物光触媒材料」との接合複合粒子を創生し、赤外領域まで光応答可能な半導体・複合材料を提案し、水素変換効率の高い接合構造への指針を明らかにすることを目的としている。
有機金属気層成長法を用いて、炭化ケイ素(SiC)やチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)、マグネシア(MgO)スピネル(MgAl2O3)酸化物基板上への鉄シリサイド半導体ナノ粒子の成長検討を行い、金層を導入することで50~200nmのナノ粒子形成を実現した。フォトルミネッセンス発光特性評価より高結晶品質を有す鉄シリサイド半導体ナノ粒子の合成を確認した。SiC粉末に予め金を担持し、有機金属気層成長法にて表面に鉄シリサイド半導体ナノ粒子が分散された複合粒子作製を実現した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

SiCおよび酸化物上に高結晶品質を有す鉄シリサイド半導体ナノ粒子の合成の作製法方法を確立し、次年度に光触媒効果による水素生成速度の評価を系統的に調べる目処を立てた。

今後の研究の推進方策

作製方法に目処がついたので、粉末複合構造の作製から評価を系統的に行い、当初の予目的を達成する。

次年度使用額が生じた理由

基板を用いた高結晶品質を有す鉄シリサイド半導体ナノ粒子の合成の検討と評価に多くの時間を費やし当初予定していた作製試料数が少なく、粉末試料作製の為の費用を全て使用しなかった。

次年度使用額の使用計画

作製方法に目処がついたので、粉末複合構造の作製から評価を系統的に行い、当初の予目的を達成する。

  • 研究成果

    (11件)

すべて 2016 2015 その他

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (9件) (うち国際学会 1件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Metal-organic chemical vapor deposition growth of β-FeSi2/Si composite powder via vapor-liquid-solid method and its photocatalytic properties2016

    • 著者名/発表者名
      Kensuke Akiyama, Yuu Motoizumi, Hiroshi Funakubo, Hiroshi Irie and Yoshihisa Matsumoto
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 ページ: 06HC02-1-4

    • DOI

      10.7567/JJAP.55.06HC02

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] β-FeSi2/SiC複合構造粒子の作製と光触媒効果による水素生成2016

    • 著者名/発表者名
      秋山賢輔, 本泉佑, 高橋亮, 舟窪浩, 入江寛, 松本佳久
    • 学会等名
      日本化学会第96春季年会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府)
    • 年月日
      2016-03-24 – 2016-03-27
  • [学会発表] Si(001)上の3C-SiCエピ膜形成および積層欠陥生成過程の断面TEM解析2016

    • 著者名/発表者名
      山崎順, 石田篤志, 秋山賢輔, 平林康男
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都)
    • 年月日
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [学会発表] Eu ドープNiO エピタキシャル薄膜の室温作製と特性評価2016

    • 著者名/発表者名
      高野詩織, 塩尻大士, 秋山賢輔, 金子智, 松田晃史, 吉本 護
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都)
    • 年月日
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [学会発表] 鉄シリサイド薄膜のPL発光特性に及ぼすアニール処理の影響2016

    • 著者名/発表者名
      秋山賢輔, 松本佳久, 木口賢紀, 舟窪浩
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学(東京都)
    • 年月日
      2016-03-19 – 2016-03-22
  • [学会発表] 収差補正電子顕微鏡を用いたSi(001)基板上エピタキシャル3C-SiC膜の形成過程と積層欠陥生成過程の研究2015

    • 著者名/発表者名
      山崎順, 玉置央和, 野村優貴, 石田篤志, 秋山賢輔, 平林康男
    • 学会等名
      先進パワー半導体分科会
    • 発表場所
      大阪国際交流センター(大阪府)
    • 年月日
      2015-11-09 – 2015-11-10
  • [学会発表] MOCVD growth of β-FeSi2 on Si via vapor-liquid-solid method using Au-Si liquids phase2015

    • 著者名/発表者名
      Kensuke Akiyama and Hiroshi Funakubo
    • 学会等名
      37th International Symposium on Dry Process
    • 発表場所
      Awaji Yumebutai International Conference Center (Awaji Island, Japan)
    • 年月日
      2015-11-05 – 2015-11-06
    • 国際学会
  • [学会発表] シリコン上への金属層導入による鉄シリサイド半導体の微細構造制御と光触媒特性2015

    • 著者名/発表者名
      秋山賢輔 舟窪浩
    • 学会等名
      材料シンポジウムワークショップ
    • 発表場所
      京都テルサ(京都府)
    • 年月日
      2015-10-13 – 2015-10-15
  • [学会発表] 透過顕微鏡を用いたSi(001)上の3C-SiC膜形成及び積層欠陥生成過程の研究2015

    • 著者名/発表者名
      山崎順, 石田篤志, 秋山賢輔, 平林康男
    • 学会等名
      日本物理学会2015年秋季大会
    • 発表場所
      関西大学(大阪府)
    • 年月日
      2015-09-16 – 2015-09-19
  • [学会発表] 窒素(N)ドーピングした鉄シリサイドのPL発光特性2015

    • 著者名/発表者名
      秋山賢輔, 高橋亮, 松本佳久, 舟窪浩
    • 学会等名
      第76回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      名古屋国際会議場(愛知県)
    • 年月日
      2015-09-13 – 2015-09-16
  • [備考] 神奈川県産業技術センター

    • URL

      http://www.kanagawa-iri.jp/researchresults.html

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公開日: 2017-01-06  

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