研究課題
挑戦的萌芽研究
有機金属気相成長法によって成長したm面AlInNエピタキシャルナノ構造の構造解析および光物性の評価を行った。AlInNの結晶性は、ハイドライド気相成長法にて作製された低転位密度m面自立GaN基板上にコヒーレントに成長されたことで極めて改善した。AlInN層は1軸ないしは2軸性の異方的な歪を内包していたが、X線回折の半値幅は下地層と同等の低い値を示した。このようなm面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いて、深紫外・青・緑色波長領域で動作する、蛍光表示管型の偏光発光素子を作製した。
半導体光物性