• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2016 年度 実施状況報告書

量子干渉を用いたフォノン系テラヘルツ光源の開拓

研究課題

研究課題/領域番号 15K13345
研究機関千葉大学

研究代表者

石谷 善博  千葉大学, 大学院工学研究科, 教授 (60291481)

研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2018-03-31
キーワード電磁誘起透明化 / LOフォノン / 金属半導体複合構造 / フォノンポラリトン / 電気双極子
研究実績の概要

平成28年度は、フォノン系電磁誘起透明化(EIT)の可能性とその性能の決定要因に関する検討、赤外・THz波と物質系の電気双極子相互作用特性の検討、赤外光・THz波の導波機構についての検討を進めた。EITではp型GaInPを用い、アクセプタ密度を変化させて、ラマン散乱スペクトル解析により量子干渉効果を評価した。その結果、破壊的量子干渉によりスペクトル変調が起きていること、正孔密度増加に対して量子干渉効果が顕著になることが分かった。理論的検討では、スペクトルの非対称性を決める因子について、その数学的表現を示し、正孔の状態密度分布関数とフェルミ分布関数により決まること、材料による非対称性形状の違いを説明した。電気双極子相互作用では、GaAsおよびAlNの表面にチタンおよび金のストライプを貼った構造について赤外反射分光により吸収特性解析を行った。その結果、明確な偏光依存性があること、n型ドーピング試料では吸収エネルギーがLOフォノン‐プラズモン結合モードのエネルギーと一致することが分かった。フォノンポラリトン導波では、我々が提案した分極効果を取り入れた誘電関数理論式により初めて、表面に金属ストライプを形成した試料に関するポラリトンエネルギーが説明できることが分かった。AlNに金属ストライプを形成した構造からは、本来禁制であるE1-LOモードの信号が検知され、許容A1モードとE1モードの同時励起が可能であることが分かり、2元系化合物によりEITの可能性が示唆された。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

THzから赤外の輻射の観点では遅れているが、ポラリトン伝搬などについて当初の予定以上の知見が得られ、また界面分極による電気双極子についても提案した理論が正しいことを確信できる実験データが得られた。これらを総合して全体としては概ね順調に進展していると判断した。

今後の研究の推進方策

H28年度までで、EITの検討やポラリトン導波、電気双極子形成状態に関する評価が進み、フォノン系THz域輻射素子・検知素子作製の準備が進められた。他方で、輻射観測は実験装置の準備は温度上昇による観測機構、ラマン散乱による観測機構が整ったが、観測はされていない。H29年度は輻射観測をおこなう。また検知素子では、素子用の金属ストライプ形成のための光露光用のマスクが製作されたので、H29 年度に検知素子の試作を行う。更に、フォノンエネルギーの異なるモードをもつ代表的2元化合物である窒化物を用いて材料として複雑性の少ない2元系化合物におけるEITの可能性と光励起をもちた量子井戸中の高密度正孔生成によるEITの可能性について明確にする。

次年度使用額が生じた理由

赤外分光装置が故障したが、年度内に修理が終了しなかったため、H29年度に修理を完了させることとした。このため、H28年度に確保した修理費の予定額を、H29年度に繰り越すこととした。

次年度使用額の使用計画

赤外分光装置の修理に使用する。

  • 研究成果

    (13件)

すべて 2017 2016 その他

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件、 謝辞記載あり 2件) 学会発表 (9件) (うち国際学会 2件、 招待講演 2件) 備考 (1件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Raman study of the quantum interference of multiple discrete states and a continuum of states in the phonon energy region of semiconductors: examples of p-type Ga0.5In0.5P films2016

    • 著者名/発表者名
      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 49 ページ: 351107-1,13

    • DOI

      1088/0022-3727/49/37/375107

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Depth profile characterization technique of electron density in GaN films by infrared reflection spectra2016

    • 著者名/発表者名
      Takaaki Kamijoh, Bei Ma, Ken Morita, and Yoshihiro Ishitani
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 55 ページ: 05FH02-1,6

    • DOI

      10.7567/JJAP.55.05FH02

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] AlN/金属ストライプ構造のラマン散乱スペクトルにおけるA1-E1選択則の崩れに関する検討2017

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ, 森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜. 横浜
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] 金属/半導体複合構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モード共鳴赤外光吸収とポラリトン損失2017

    • 著者名/発表者名
      竹内映人,坂本裕則,馬ベイ, 森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜. 横浜
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] 磁場下赤外反射分光によるInN電子有効質量の解析2017

    • 著者名/発表者名
      松本大,馬ベイ,森田健,福井一俊,木村真一,飯塚拓也
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜. 横浜
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-14
  • [学会発表] Phonon Engineering of Semiconductors in THz frequency region2016

    • 著者名/発表者名
      Yoshihiro Ishitani, Hironori Sakamoto, Eito Takeuchi, Bei Ma, and Ken Morita
    • 学会等名
      International Conference on Science and Engineering
    • 発表場所
      Yangon, Myanmar
    • 年月日
      2016-12-10 – 2016-12-11
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] p-Ga0.5In0.5Pにおける複数種LOフォノン系量子干渉効果および、フォノン系電磁誘起透明化のスペクトル計算2016

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ,森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第5回結晶成長未来塾
    • 発表場所
      東京農工大学小金井キャンパス,小金井市
    • 年月日
      2016-11-07 – 2016-11-07
  • [学会発表] p 型Ga0.5In0.5P における高濃度p型ドープ試料におけるフォノン系電磁誘起透明化のスペクトル計算2016

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ,森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ,新潟
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films2016

    • 著者名/発表者名
      石谷善博
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ,新潟
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
    • 招待講演
  • [学会発表] Quantum interference of three LO modes in p-type Ga0.5In0.5P: Contribution of a trigonal phonon mode2016

    • 著者名/発表者名
      Hironori Sakamoto, Bei Ma, Ken Morita and Yoshihiro Ishitani
    • 学会等名
      43rd International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Toyama, Japan
    • 年月日
      2016-06-26 – 2016-06-30
    • 国際学会
  • [学会発表] ラマン散乱スペクトルにおけるファノ干渉を用いた窒化物半導体の正孔濃度評価モデルの検討2016

    • 著者名/発表者名
      坂本裕則,馬ベイ,森田健,石谷善博
    • 学会等名
      第8回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      京都大学桂キャンパス,京都市
    • 年月日
      2016-05-09 – 2016-05-10
  • [備考] 千葉大学量子デバイス物性研究室ホームページ

    • URL

      http://photonics.te.chiba-u.jp/index.html

  • [産業財産権] 赤外光素子2016

    • 発明者名
      石谷善博
    • 権利者名
      石谷善博
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2016-144974
    • 出願年月日
      2016-07-23

URL: 

公開日: 2018-01-16  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi