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2017 年度 研究成果報告書

狭ギャップ半導体における低次元鏡像電荷効果に基づく中赤外領域励起子制御

研究課題

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研究課題/領域番号 15K13348
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 結晶工学
研究機関北陸先端科学技術大学院大学

研究代表者

鈴木 寿一  北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授 (80362028)

研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2018-03-31
キーワード狭ギャップ半導体 / 低次元系 / クーロン相互作用 / 固定電荷
研究成果の概要

低誘電率ホスト材料上InAs薄膜構造(InAs/low-k構造)を作製し、この系の電流低周波ノイズの挙動を調べた結果、InAs薄膜内電子のクーロン相互作用の特徴的長さが20 nm程度であることがわかった。また、InAs/low-k構造におけるInAsとlow-k材料の間に高誘電率酸化物を挿入したInAs/high-k/low-k構造の作製に成功し、この系においては、界面の幾何学的不均一性による電子の散乱は抑制されるものの、界面近傍の意図せぬ固定電荷によるクーロン散乱の影響が大きいことが示された。

自由記述の分野

化合物半導体エレクトロニクス

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公開日: 2019-03-29  

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