2016 年度研究成果報告書

ワイドバンドギャップ材料の欠陥定量解析手法の確立

研究課題

研究課題/領域番号	15K13351
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	結晶工学
研究機関	九州大学
研究代表者	柿本浩一九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90291509)
研究期間 (年度)	2015-04-01 – 2017-03-31
キーワード	SiC / GaN / Aｌ203 / 転位 / 結晶成長
研究成果の概要	本提案では、過去40年以上にわたって解決できなかった高精度結晶欠陥制御、特にデバイス特性に影響を与える転位密度の低減と制御を、転位増殖の実験結果に基づいた3次元非定常転位分布数値解析法の開発と結晶成長炉内熱流束精密制御により、極低転位密度結晶成長が可能な新規結晶成長法の提案と実証を行った。すなわち、SiC、GaN、そしてAl2O3単結晶の転位密度を定量的に予測できるようになった。結晶欠陥の定量予測が可能となったことにより、従来解析が不可能であった結晶内の3次元転位分布の予測が可能になった。
自由記述の分野	結晶成長学