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2016 年度 研究成果報告書

人工二次元電子系を用いた実験的シミュレーション手法の確立

研究課題

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研究課題/領域番号 15K13367
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 薄膜・表面界面物性
研究機関国立研究開発法人理化学研究所

研究代表者

南任 真史  国立研究開発法人理化学研究所, 石橋極微デバイス工学研究室, 専任研究員 (90300889)

研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2017-03-31
キーワード原子操作 / 表面状態 / 二次元電子系 / 周期ポテンシャル / 局所状態密度 / 走査トンネル顕微鏡
研究成果の概要

低温超高真空STM装置を用いた原子操作により、Cu(111)表面に吸着させたFe原子やCO分子の二次元格子構造を人工的に形成した。CO分子の(8×8)超構造では、ハニカムの副格子AとBそれぞれに対応する位置でFermi準位近傍の電子状態が異なることが、トンネル電子分光やSTS測定から明らかになった。一方、同じCO分子の(6×6)超構造では、副格子の電子状態の等価性は失われないことがわかった。これらの結果は、吸着種による散乱過程により表面状態がバルクと強く結合して共鳴状態となり、表面第二層からの影響が大きくなったものと解釈され、第一原理計算を用いたシミュレーションにより再現されることがわかった。

自由記述の分野

固体物理

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公開日: 2018-03-22  

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