|
“フェムト秒レーザー照射による結晶表面への渦巻き成長誘起”現象について、原理解明を行った。
対象とする物質に応じて、レーザー照射条件の最適値（特に照射パルス数）があり、照射パルス数が少ない場合には渦巻き成長が誘起されず、逆に多すぎる場合には渦巻き成長誘起とともに多結晶化が起こることが分かった。X線トポグラフィ観察により、レーザー集光位置かららせん転位が発生し、これを中心にうずまき成長丘ができることが示された。本手法で育成した結晶は単結晶性を維持し高品質であり、さらに内包する不純物量が少ないことが分かった。結果として本手法は、成長促進に加え、高品質化を促す可能性が示された。
|
