多価イオンはその大きな内部エネルギーによりイオンの入射事象を確実に把握することができる。本研究では、この多価イオンのユニークな性質を単一イオン注入(SII)に応用し、独自のイオン入射位置制御機構を新たに開発することにより、高精度・高確度のドーパント原子1個の入射法を確立し、SIIによる信頼性の高い量子ビット作成法の実現に展開することを目的とし、その第一段階として、従来多価イオン照射と照射後の表面のSTM観察を別の真空系で行っていたものを、照射とSTM観察が同時に行えるように工夫した装置「その場STM」を設計・製作した。
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