| 研究課題/領域番号 |
15K13496
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
生嶋 健司 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (20334302)
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| 連携研究者 |
小宮山 進 東京大学, 大学院総合文化研究科, 名誉教授 (00153677)
金 鮮美 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (90585697)
寶迫 巌 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所, 研究所長 (00359069)
パトラシン ミハイル 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所, 研究員 (90794595)
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| 研究協力者 |
小林 貴司
山並 弘輝
中川 大輔
西村 明
滝沢 和宏
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | グラフェン / 量子ホール効果 |
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| 研究成果の概要 |
本研究の目的は、これまで観測例の無い、電流注入型のグラフェン・ランダウ準位発光を検出することである。そこで、まず、超高感度な赤外フォトトランジスタを強磁場下で動作させる最適条件を求めた。次に、金属アンテナ付の単層グラフェン素子を作製し、輻射シールドされたテラヘルツ集光系で測定した。検出器の感度波長帯から、単層グラフェンのN=0とN=+1のランダウ準位間隔に相当する波長のテラヘルツ光が観測された。また、フェルミ準位がN=0とN=+1ランダウ準位の間に位置するときに発光効率が増大する傾向が観測された。これらの結果は、N=+1 → N=0のランダウ準位光学遷移による発光であることを強く示唆する。
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| 自由記述の分野 |
物性物理学
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