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スピン軌道相互作用（SOI）は電子の相対論的効果が顕著な形で現れるそうごさようであり、近年新しい量子相として注目されているトポロジカル物性の根幹である。光によるスピンの観測・制御はその制御性の高さから有望な技術であり、SOIと光学応答を組み合わせて革新的技術を発展させるために光励起電子のバンド構造におけるSOIの影響を直接測定する技術を構築することは極めて重要である。本研究では非占有準位のバンド構造を高分解能で決定出来る手法として知られる2光子光電子分光に円二色性測定をくみあわせることによって、光励起状態のSOIの影響を直接観測する手法、円偏光励起2光子光電子分光を開発した。
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