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2017 年度 研究成果報告書

半導体微細プロセスによる表面超音波デバイス開発と強相関物性解明への応用

研究課題

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研究課題/領域番号 15K13518
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 物性Ⅱ
研究機関新潟大学

研究代表者

根本 祐一  新潟大学, 自然科学系, 准教授 (10303174)

連携研究者 赤津 光洋  新潟大学, 自然科学系, 助教 (10431876)
三本 啓輔  新潟大学, 自然科学系, 特任助教 (50515567)
研究協力者 金田 寛  九州工業大学, 特任教授
後藤 輝孝  新潟大学, 自然科学系, フェロー
鹿島 一日兒  グローバルウェーハズ・ジャパン(株), 技監
研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2018-03-31
キーワード超音波計測 / 原子空孔 / 表面弾性波 / 半導体 / 強相関電子系
研究成果の概要

シリコン結晶中の点欠陥である原子空孔の観測とその電子状態解明は,基礎研究の側面に加え産業応用の立場からも重要である。原子空孔に束縛された電子は大きく拡がった縮退軌道をもち,極めて強い四極子-歪み相互作用をもたらす。半導体産業で用いられるシリコンウェーハでは,数10億個に1個の超希薄な原子空孔濃度であるが,超音波による弾性定数の低温ソフト化で観測可能となった。特に,デバイス動作層のシリコンウェーハ表層領域における原子空孔を表面弾性波によって観測した成果は,ますますデバイスの高性能化・高効率化が加速する半導体産業における微小欠陥制御技術の基礎的知見として有用であり,今後の発展が期待される。

自由記述の分野

物性実験

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公開日: 2019-03-29  

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