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本研究では走査トンネル顕微鏡（STM）に着目し、双安定性を示す金属錯体の電子状態を室温近辺で制御・評価する。従来、このような研究は極低温条件の超高真空STMを用いて行われてきた。本研究では、低スピン状態（LS）と高スピン（HS）状態で大きく異なる電荷分布を取る原子価互変異性（VT）錯体を採用することで、室温でも機能する超高密度単分子メモリ素子創製を目指す。特に、本研究課題では、白金錯体とコバルト錯体の2種類の素子の作製を試み、STMによりその配列構造を決定することを目指した。さらに、超高真空STMによる評価を行うための分子合成について検討した。
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