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27年度でSiに対して行ったメカノケミカル反応による水素発生の研究を，半導体や金属についても行った。その結果，全てにおいて水素の生成が観測された。
実験手法は，前年度と同様に容器内の圧力と温度のその場観察より，水素の生成量を算出した。ガスクロマトグラフィー（GC）測定から，水素の生成と，酸素の未生成を確認した。その他，ミリングの途中で一定時間ごとに容器内の固体粒子を微量採取し，それらのレーザー顕微鏡観察，電子顕微鏡観察による表面・形状・サイズ観測，エネルギー分散型X線分析による元素分析（EDS），FT-IR測定による，表面の化学種と官能基の定性，定量を行い，反応の時間変化を追跡した。その他，Siにおいては，ESR測定からダングリングボンドの定量化，Ｘ線による結晶構造解析，またNMRの緩和時間の解析から液中での比表面積の算出も行った。これらの結果を，ミリング時間に対して解析により反応動力学を複合的に検証し，メカノケミカル反応による水の分解反応と水素発生のメカニズムを詳細に研究した。
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