研究課題
本研究課題においては時間遅延を用いた磁場効果増強法により、弱磁場下で100%以上に及ぶ磁場効果を示す接合デバイスを探索・作製することを目指している。一昨年度は導電性高分子・C60誘導体（P3HT:PCBM）に関する磁場効果の遅延時間依存性を行った。研究計画では磁場効果は遅延時間が増すと磁場効果は一方的に増加すると想定していたが、弱磁場における磁場効果は遅延時間を増すといったんは増加するものの、更に増すと減少することが明らかになった。この結果は一昨年度のDalton Transaction誌に報告した。そこでより大きな磁場効果を観測するために、方針を転換して、界面の特性を利用して磁場効果を観測することを目指している。このための実験手法として蓄積電荷測定法を開発した。この実験手法を、ペンタセン、亜鉛フタロシアニン、メタルフリーフタロシアニン、導電性高分子P3HTに適用して、金属と有機半導体の間に生じる電荷注入障壁の測定を行った。一連の成果は、学術論文としてJournal of Physical Chemistry C誌およびOrganic Electronics誌に研究論文として報告している。ちなみに、これらの一連の実験は、n型シリコンを熱酸化処理したウェーハー基板を用いて行っている。昨年度は、一連の実験と並行してより簡便に実験ができるように、基板改良を工学部微細加工センターの設備を用いて行った。新しく作製した基板は、ガラス基板の上に背面電極と絶縁膜を形成しており、背面電極に透明電極を用いた基板も作製している。この新しく作製した基板を用いた実験に関しては、現在進行中である。
すべて 2017
すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (5件)
Journal of the Physical Society of Japan
巻: 86 ページ: 114709～114709
10.7566/JPSJ.86.114709
Organic Electronics
巻: 51 ページ: 162～167
doi:10.1016/j.orgel.2017.09.008
The Journal of Physical Chemistry C
巻: 121 ページ: 14725～14730
doi:10.1021/acs.jpcc.7b04456
Journal of Applied Physics
巻: 121 ページ: 175105～175105
doi: 10.1063/1.4983076
