窒化物イオン導電性材料としてSi3N4を、プロトン導電性材料としてMgドープAl2O3板を使用し、これらのペレットと板をパラジウム電極によって張り付けて合成セルをとすることで、アンモニア合成セルの作製を行った。また、高プロトン導電性材料としてSrZr0.5Ce0.4Y0.1O3-d系酸化物を用いたブロッキング電極型セルに関しても作製を達成した。400oC~500oCで電圧を最大10Vまで印加したものの、明確なアンモニア合成は確認されなかった。これにより、今後最適な電極材・電解質材・形状の制御の必要性の指針が得られた。
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