Pb-PVKがn型半導体で成長する結晶形態とPV性能との関係ではナノポア中でのPb-PVK結晶サイズはバルクで成長した結晶サイズより小さく、ナノポア壁の組成によっても結晶性,欠陥密度が大きく変化した。Pb-PVK中の塩素イオンの存在はポーラスn型半導体を使ったPV効率向上に有効であるが、塩素イオンは結晶サイズおよびグレインサイズを大きくすること、塩素イオンはPb-PVK層とナノポア壁に形成されるTi-O-Pb結合密度を増加させ、電荷再結合を低下させることにより説明できた。N型半導体/Pb-PVKヘテロ界面構造はPBKの結晶形態や電荷再結合密度をコントロールし効率向上に重要な因子であった。
|