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本研究では私達が以前に開発したグラフィックカーボンナイトライド（GCN）薄膜の電子デバイスなどへの応用を目指し、GCN薄膜の合成法の改善を行った。その結果、最終的に単結晶基板として利用できるSi基板を用い温度プログラムを細かく検討した結果、X線回折でこれまで観測することが難しかった高次の反射も見られるようになった。現在この薄膜を用い、FET素子の開発などを行っている。 また、これまでの予備的知見より、得られた薄膜の屈折率が高いことが明らかとなってきた。GCN薄膜の応用の可能性が広がると考え、現在得られた薄膜の正確な屈折率の評価をするべく、共同研究を開始した。
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