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2016 年度 実施状況報告書

窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用

研究課題

研究課題/領域番号 15K13937
研究機関北海道大学

研究代表者

佐藤 威友  北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50343009)

研究分担者 橋詰 保  北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (80149898)
本久 順一  北海道大学, 情報科学研究科, 教授 (60212263)
研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2018-03-31
キーワード半導体物性 / 半導体超微細化 / ナノ材料 / 光物性 / 新エネルギー
研究実績の概要

前年度に得られた知見をもとに、窒化物半導体多孔質構造の最適化・機能化に取り組んだ。高アスペクト比の孔が高密度に配列した多孔質構造を実現する手法を開発し、多孔質構造に適用可能な機能修飾法の1つとして、金属有機化合物分解法(MOD法)の適用可能性を検討した。
(1) 電解液と窒化ガリウム界面の系統的電気化学評価により、多孔質構造の孔の配列密度は電圧に強く依存することを見いだした。これを基に、これまでトレードオフの関係にあった多孔質構造の配列密度と孔深さ制御を同時に達成した。電気化学エッチングを2段解に分け、エッチング初期に高電圧(15 V)で高密度のピットを形成し、その後電圧を下げ(10 V)エッチングを進行させたところ、配列密度2 × 10の10乗 cm-2、深さ40マイクロメートル以上の直線性多孔質ナノ構造の形成に成功した。
(2) 多孔質構造の孔壁に、MOD法によりNiO薄膜およびNiO微粒子を形成することに成功した。NiOは、半導体光触媒電極の陽極での腐食を防ぐ助触媒材料として機能することが知られている。NiO含有の有機化合物をGaN表面に塗布し、酸素中のアニールによりNiO薄膜とNiO微粒子を形成した。無加工基板上の試験により、NiO微粒子の密度は、MOD剤の粘度(希釈率)により調整可能であることを示した。また、走査型電子顕微鏡とオージェ電子分光法を併用した局所的な組成分析により、NiO微粒子の組成比(Ni:O)がアニール温度に大きな影響を受けることを示し、600度以上の条件が適していることを明らかにした。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

今年度の目標としていた光触媒の可視光応答にむけた取り組みである「構造のナノメータースケール制御」と「多孔質構造の機能修飾」に成功し、研究成果の公表として、査読付き学術誌1編、研究報告書1編、国内外の学会13件の発表があり、当初の計画とおり順調に進展している。

今後の研究の推進方策

最終年度は、窒化物半導体多孔質構造を基盤とした光触媒電極の作製と可視光応答に向けた機能界面の形成に取り組む。
(1) 多孔質構造の孔内部に電解液を充填し、電解液/孔壁界面のインピーダンス特性から、多孔質構造電極における電荷交換反応の詳細を調査する。
(2) 孔壁表面にCu2O膜およびNiO膜を形成し、光学的・電気的評価から、機能膜/多孔質構造界面のエネルギーバンド構造と光電変換特性を調査する。
(3) 多孔質ナノ構造電極を用いた光触媒実験を行い、水素ガス生成量の定量的に評価する。構造パラメータが、可視光反射率および外部量子効率に与える影響を系統的に調べ、光―化学エネルギー変換の高効率化に向けた電極設計に取り組む。

次年度使用額が生じた理由

ほぼ計画通りに予算を執行したが、消耗品購入の際の端数として1,672円の余剰金が生じた。

次年度使用額の使用計画

次年度の消耗品の購入費用に加える。

  • 研究成果

    (17件)

すべて 2017 2016 その他

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 1件、 オープンアクセス 1件、 謝辞記載あり 2件) 学会発表 (13件) 備考 (2件)

  • [雑誌論文] Electrochemical formation of N-type GaN and N-type InP porous structures for chemical sensor applications2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sato, X. Zhang, K. Ito, S. Matsumoto and Y. Kumazaki
    • 雑誌名

      Proceeding of 2016 IEEE SENSORS

      巻: 2016 ページ: 7808443

    • DOI

      10.1109/ICSENS.2016.7808443

    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] 電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング2016

    • 著者名/発表者名
      熊崎 祐介, 植村 圭佑, 佐藤 威友
    • 雑誌名

      電子情報通信学会信学技報

      巻: 116 ページ: 45-50

    • 謝辞記載あり
  • [学会発表] 電気化学堆積法によるCu2O/InPヘテロ界面の形成(3)2017

    • 著者名/発表者名
      近江 沙也夏、熊崎 祐介、佐藤 威友
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜,横浜市
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] GaN多孔質構造の形状およびキャリア濃度の違いとインピーダンス特性について2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤 圭亮、張 笑逸、熊崎 祐介、佐藤 威友
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜,横浜市
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] 光電気化学反応を利用したn-GaN表面ダメージ層の除去2017

    • 著者名/発表者名
      松本 悟、枝元 将彰、熊崎 祐介、佐藤 威友
    • 学会等名
      第64回応用物理学会春期学術講演会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜,横浜市
    • 年月日
      2017-03-14 – 2017-03-17
  • [学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学特性と低損傷加工技術への応用2016

    • 著者名/発表者名
      熊崎 祐介, 植村圭佑,佐藤 威友
    • 学会等名
      電子情報通信学会 電子デバイス研究会
    • 発表場所
      京都大学, 京都市
    • 年月日
      2016-12-12 – 2016-12-13
  • [学会発表] Electrochemical formation of N-type GaN and N-type InP porous structures for chemical sensor applications2016

    • 著者名/発表者名
      T. Sato, X. Zhang, K. Ito, S. Matsumoto and Y. Kumazaki
    • 学会等名
      IEEE SENSORS 2016
    • 発表場所
      Caribe Royale All-Suite Hotel and Convention Center, Orlando, USA
    • 年月日
      2016-10-30 – 2016-11-02
  • [学会発表] Precise Structural Tuning of Porous GaN Using Two-Step Anisotropic Etching for Optical and Photo-Electric Applications2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Kumazaki, S. Matsumoto, and T. Sato
    • 学会等名
      2016 Pacific Rim Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (PRiME 2016)
    • 発表場所
      Hawaii Convention Center, Honolulu, USA
    • 年月日
      2016-10-02 – 2016-10-07
  • [学会発表] Electrochemical Formation and Characterization of Cu2O Films on n-type InP Porous Structures2016

    • 著者名/発表者名
      S. Omi, Y. Kumazaki, and T. Sato
    • 学会等名
      2016 Pacific Rim Meeting on Electrochemistry and Solid State Science (PRiME 2016)
    • 発表場所
      Hawaii Convention Center, Honolulu, USA
    • 年月日
      2016-10-02 – 2016-10-07
  • [学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造の光電気化学特性と低損傷加工技術への応用2016

    • 著者名/発表者名
      熊崎 祐介, 植村 圭佑, 佐藤 威友
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟市
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] 電気化学堆積法による Cu2O/InP 多孔質構造ヘテロ界面の形成2016

    • 著者名/発表者名
      近江 沙也夏、熊崎 祐介、佐藤 威友
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟市
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] 金属有機化合物分解法によるGaN表面へのNiO粒子の形成(2)2016

    • 著者名/発表者名
      喜田 弘文、伊藤 圭亮、熊崎 祐介、佐藤 威友、渡久地 政周
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟市
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] Electrochemical characterization of GaN porous structures for photochemical sensor application2016

    • 著者名/発表者名
      Xiaoyi Zhang、Keisuke Ito、Hirofumi Kida、Yusuke Kumazaki、Taketomo Sato
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟市
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] 電気化学インピーダンス分光法によるGaN多孔質構造の評価2016

    • 著者名/発表者名
      伊藤 圭亮、張 笑逸、喜田 弘文、熊崎 祐介、佐藤 威友
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟市
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [学会発表] GaN多孔質構造の選択領域形成に関する検討2016

    • 著者名/発表者名
      松本 悟、熊崎 祐介、佐藤 威友
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟市
    • 年月日
      2016-09-13 – 2016-09-16
  • [備考] 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

    • URL

      http://www.rciqe.hokudai.ac.jp

  • [備考] 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 電気化学プロセスグループ

    • URL

      http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~taketomo/ec/index.html

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公開日: 2018-01-16  

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