研究課題/領域番号 |
15K13939
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
小林 篤 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (20470114)
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研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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キーワード | 窒化物半導体 / 酸化物半導体 |
研究実績の概要 |
本研究では、太陽電池の変換効率に大きな影響を及ぼす、キャリア(電子や正孔)の高速移動・分離を酸化物/窒化物ヘテロ界面で実現することを目的としている。今年度は、窒化物表面に蓄積する高密度電子の輸送特性の評価を行った。パルススパッタ法で成長したInGaN薄膜上にALD法で酸化物絶縁膜を堆積しホール効果測定を行ったところ、絶縁膜を堆積しないInGaNに比べ、移動度が向上することが分かった。これは、ALDプロセス時にInGaN表面の吸着物質や酸化層が清浄化されたことにより、表面(界面)でのキャリア散乱要因が減少したためと理解できる。
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現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
酸化物/窒化物ヘテロ界面を低温形成する条件を見出し、界面の輸送特性の評価まで行うことができた。
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今後の研究の推進方策 |
今後は、窒化物半導体から酸化物半導体内へ正孔を注入できるヘテロ界面を設計・作製し、界面における輸送特性の評価を行う。
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次年度使用額が生じた理由 |
予定していた結晶作製プロセスを改善し、装置セットアップにかかるコストを削減できたため。
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次年度使用額の使用計画 |
より効率的な実験条件の最適化を行うために、薄膜成長用の基板および原料の購入数を増やす予定である。
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