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シリコンカーバイドは、高い絶縁破壊電界強度と熱伝導度を有し、次世代のパワーエレクトロニクス材料として期待されている。しかし、熱酸化で形成したSiO2/SiC界面には多量の欠陥が存在し、素子性能や信頼性が劣化することが問題となっている。本研究では、SiO2/SiC構造への電子線や光照射によってMOS界面の欠陥構造を改質し、その後の欠陥修復により特性に優れたSiC-MOSデバイスを実現することを最終的な目標としている。当該研究期間では、熱酸化SiO2/SiC界面に存在する発光性欠陥の詳細な評価と構造モデルを構築すると共に、紫外線照射を併用した熱酸化プロセスの基礎検討を実施した。
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