高圧水中レーザーアニールによる窒化ガリウム超臨界水低温酸化手法の創出

2015 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15K13955
• 研究種目: 挑戦的萌芽研究
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 京都大学
• 研究代表者: 堀田 昌宏 京都大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (50549988)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2016-03-31
• キーワード: 窒化ガリウム / 金属-絶縁体-半導体界面 / 超臨界水 / レーザーアニール

研究成果の概要

次世代半導体パワーデバイス用材料として有望視されている窒化ガリウム(GaN)において，良好な金属-絶縁体-半導体構造を形成すべく，GaNを酸化することにより酸化ガリウム(GaO)を形成する手法を検討した．GaNの直接酸化によりGaOを形成する手法に加えて，超臨界水処理によって形成する手法を検討した．超臨界水処理による直接酸化でGaOを形成するのは困難であるが，熱酸化により形成したGaOに対して超臨界水処理を行うことで，絶縁膜を改質できることが分かった．

自由記述の分野

半導体工学