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代表的なIII-V族化合物半導体であるガリウムヒ素薄膜の高指数(113)B面基板上へのエピタキシャル成長において、IV族元素であるゲルマニウムを中間層として挿入することにより、その上下で副格子の配列を交換して成長する副格子交換エピタキシーを実現した。この技術を利用することで、上下の共振器層で二次非線形感受率の符号が異なる分極反転型の半導体多層膜結合共振器をエピタキシャル成長だけで高品質に作製できることも実証した。未開拓周波数領域の電磁波であるテラヘルツ波を簡易に発生する新奇発光素子を実現させるうえで重要となる作製技術の開発に成功した。
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