未開拓波長域レーザダイオード実現のためのアニオン制御窒化物半導体混晶

2016 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15K13959
• 研究種目: 挑戦的萌芽研究
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 名城大学
• 研究代表者: 竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2017-03-31
• キーワード: 価電子帯制御 / 窒化物半導体 / アンチモン / 正孔 / トンネル接合

研究成果の概要

アニオン制御窒化物半導体GaNSbを創製し、価電子帯を上昇させて高正孔濃度・低抵抗p型半導体の実現を目指した。最大で1%のSbが添加できること、GaNSbでは800℃の低温成長であっても良好な表面平坦性が得られることがわかった。しかしながら、SbによりGaInN量子井戸の発光強度が大幅に低下することがわかり、使用を中止した。代わりにトンネル接合と低温成長n-GaNによる低温成長p側構造を実現した。

自由記述の分野

半導体デバイス