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2017 年度 研究成果報告書

ScAlMgO4基板を用いた窒化物半導体縦型トランジスタ作製プロセスの研究

研究課題

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研究課題/領域番号 15K13963
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関東北大学

研究代表者

末光 哲也  東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 教授 (90447186)

研究分担者 松岡 隆志  東北大学, 金属材料研究所, 教授 (40393730)
研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2018-03-31
キーワード窒化物半導体 / パワーデバイス / トランジスタ / SCAM基板
研究成果の概要

劈開にて形成した新鮮なScAlMgO4(以下SCAM)基板c面にGaN HEMT構造を有機金属気相成長法によって成長した。c軸に対してオフ角を付けて研磨したSCAM基板を用いて、サファイア基板に成長したものと同等の平坦性を有するHEMT層を得た。GaN HEMT作製プロセスでは、中性粒子ビームエッチングをGaN系半導体に初めて適用し、プラズマ損傷に起因する電流コラプスの低減への効果を確認した。縦型トランジスタ形成の要素技術の一つとして、SCAM基板の劈開によるGaN層の剥離技術を検討し、厚膜GaNが結晶成長後の冷却過程に基板から自然剥離する現象を確認した。

自由記述の分野

半導体デバイス工学

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公開日: 2019-03-29  

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