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半導体製品の製造歩留まりの向上には、ナノコンタミネーションの検出が必須であり，本研究は近接場光を利用した以下の微粒子検出法を提案した。
1）エバネッセント干渉場（EIF）による計測技術：ナノ粒子がEIFを通過するとき，ナノ粒子による散乱光強度は周期的に変調を受けるので，そのコントラスト算出によって粒径サイズを推定できる．この原理実証のため，粒径88及び220nmのラッテクス球を用いて散乱光を検出し，コントラストから粒径推定を試みた．2)開口近接場プローブによるマイクロノズル射出ナノ粒子の検出技術：光ファイバー近接場プローブによってマイクロノズルから射出された蛍光染色ナノ微粒子の検出を試みた．
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