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極性反転構造トランスデューサは高次モードで共振し，ハイパワー動作に適している．これまで通常のスパッタ法で成膜した場合，ScAlN薄膜はAl極性(0001)，ZnO薄膜は(000-1)となることを発見している．そこで，我々はScAlNとZnOを交互に成膜することで，(0001)/（000-1)の極性反転構造が簡単に得られるのではないかと考え実験を行った．単層のScAlNとZnO薄膜の極性はプレステストにより測定した．さらに実際に石英バッファロッド上にAl極性ScAlN/O極性ZnOの極性反転構造を作製しトランスデューサを作製した。縦波変換損失も測定し，良好な2次モードでの共振を達成した。
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