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メニスカス力を利用して単結晶シリコン層をポリエチレンテレフタレート（PET）基板へ転写する技術に関して、①単結晶シリコン層をPET基板へ転写した後の低温熱処理により界面にSi-O-C結合が形成されることにより高い密着性が得られることが分かった。②中空構造で単結晶シリコン層を保持しているSiO2柱の形状がイオン注入法によりテーパー形状に制御できることが分かり、単結晶シリコン層とSiO2柱の界面部分から分離する理想的な分離により99%以上の歩留まり達成した。③PET基板上に転写した単結晶シリコンを用いてNMOSインバータによる明瞭な反転信号を3MHzの動作周波数で得ることに成功した。
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