半導体イメージセンサの熱雑音を用いた赤外線レーザビームプロファイラの開発

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15K13984
• 研究種目: 挑戦的萌芽研究
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 沼田 孝之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (60420288)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2018-03-31
• キーワード: 赤外線 / レーザ / ビームプロファイル / イメージセンサ

研究成果の概要

半導体イメージセンサの暗電流を用いた赤外線レーザビームプロファイル評価技術の開発に取り組んだ。半導体が光励起感度を持たない波長10.6 μmの炭酸ガスレーザを用い、パワーとビーム径を事前に定量化して、イメージセンサ受光面をスポット加熱し、熱励起したキャリアを各画素で空間的に離散化して画像として検出する。実験の結果、入射レーザのビーム径と相関のあるスポット状の信号分布が検出され、新規な赤外線レーザビーム形状評価技術としてのポテンシャルを示す成果が得られた。

自由記述の分野

レーザ放射計測