粉体ゼーベック係数測定装置を開発し,銀被覆したSi粉末のゼーベック係数の測定に成功した.半導体/金属界面がゼーベック係数に及ぼす影響は今回の系では観測されなかったが,それを調べるための装置と方法を確立することができた.銀被覆したSi粉末を用いてペーストを調整して塗布膜を作製し,600℃で導電性のある膜を得た.無機熱電材料を用いた成膜方法への発展が期待される. CoSi過飽和固溶体を用いて金属相であるCo2Si相を析出させたCoSi焼結体を作製した.Co2Si相が粒状に析出した試料に比べ,CoSi相を囲むようにCo2Si相が析出した試料のゼーベック係数が大きいことが明らかになった.
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