2016 年度研究成果報告書

共晶系合金表面の室温での流動性の起源の解明－半導体の新規低温結晶化手法を目指して

研究課題

研究課題/領域番号	15K14130
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	無機材料・物性
研究機関	芝浦工業大学
研究代表者	弓野健太郎芝浦工業大学, 工学部, 教授 (40251467)
連携研究者	神子公男東京大学, 生産技術研究所, 助教 (80334366)
研究期間 (年度)	2015-04-01 – 2017-03-31
キーワード	構造・機能材料 / 表面・界面物性 / 半導体物性 / 結晶成長
研究成果の概要	金属触媒を用いた半導体薄膜の低温結晶化挙動の機構を解明することを目的として、微量のSiを蒸着したAg(111)表面を走査トンネル顕微鏡により観察した。加熱したSi/Ag(111)表面を室温で観察するとステップ形状が分単位で変形する流動的な相の形成が認められた。Ge/Au(111)においては、室温でGeを蒸着すると直ちにGe原子がAu層内へ拡散し、Si/Agと同様の流動相が認められた。これらの流動相は金属触媒に誘起された低温結晶化現象に関与していることが示唆される。
自由記述の分野	材料物性