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2017 年度 研究成果報告書

水素発生素子への応用を目指した酸化銅(Ⅰ)ホモ接合のデバイスの実現

研究課題

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研究課題/領域番号 15K14299
研究種目

挑戦的萌芽研究

配分区分基金
研究分野 エネルギー学
研究機関東京工業大学

研究代表者

宮島 晋介  東京工業大学, 工学院, 准教授 (90422526)

研究分担者 宮崎 尚  防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群), 電気情報学群, 助教 (30531991)
研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2018-03-31
キーワードCu2O / 電気化学製膜 / 光電変換 / 水分解
研究成果の概要

水分解による水素生成素子への応用を目指し、Cu2Oホモ接合素子の開発を検討した。Cu2Oへの塩素ドーピングおよび製膜条件の調整によりn型Cu2Oの作製を検討したものの、明確なn型化を確認することができず、ホモ接合デバイスの作製を行うことはできなかった。ただし、p型Cu2Oの高品質化・素子化に関しては大きな進展が得られた。Cu2Oの電気化学製膜後に150℃で熱処理を行うことにより、正孔移動度が10倍以上増加することを明らかにした。この正孔移動度が向上したp型Cu2Oを用いてZnO/Cu2Oヘテロ接合素子の作製および評価を行った結果、移動度の向上に応じた長波長感度の向上が確認された。

自由記述の分野

光電変換材料

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公開日: 2019-03-29  

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