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磁束量子（FQ）ダイナミクスシミュレーションと磁束ピン止め点（PC） の作製・評価技術を融合させることで、高効率超伝導電力機器に対して最適な非対称PC を高速に探索する技術の創製を試みた。
Nb超伝導薄膜に円形ナノパターンの作製を行った。その結果、円形ナノパターンによるFQ運動のピン止めによって臨界電流密度(Jc)が向上した。また、円形ナノパターンの数密度が多くなるほどJcが向上する傾向が見られた。また、二次元空間においてFQダイナミクスシミュレーションを行った。その結果、超伝導体の片側に剣山状の切れ込みを入れたモデルにおいて、電流-電圧曲線が原点に対して非対称な挙動が観られた。
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