研究課題
若手研究(B)
半導体製造技術の進歩に伴い,集積回路は我々の生活に欠かせないものになっている一方で,集積回路の構成部品であるMOSトランジスタは経時的に特性が劣化することが知られている.数ある劣化現象の中でも,本研究はバイアス温度安定性(NBTI: Negative bias temperature instability)を対象としており,NBTI劣化のモデル化手法,NBTI依存のパス遅延劣化推定手法および劣化緩和手法の提案を通して,高い安全レベルを確保可能な高信頼プロセッサを実現した.
計算機システム