集積回路の消費電力を下げるため、より低電圧で動作するトランジスタの開発が急務となっている。本研究では酸化バナジウムの金属絶縁体転移を、電界トランジスタのチャネルに埋め込むことで、より急峻なスイッチングを可能にし、それによってトランジスタの低電圧化を行うことを目標とした。トランジスタのゲート電圧によって酸化バナジウムの金属絶縁体転移を誘起することに成功したほか、界面近傍の電子状態評価や、界面近傍とそれ以外の場所との電子的相互作用を詳細に調べることで、従来の電界効果トランジスタには見られない新しい動作メカニズムを解明した。
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