研究課題
若手研究(B)
微細化したグラフェンに大気下で大きな電流を流すことで加熱し、グラフェンを酸化させることで微細化し、容易にグラフェン量子ドットを作製することに成功した。極低温でクーロンブロッケード領域において、トンネル結合が強い単一の量子ドットに見られる近藤効果によるものと思われるゼロバイアス異常を検出した。また、グラフェンの合成の研究に取り組み、グラフェンの核密度を局所的に制御し、グラフェンを任意の位置に合成することに成功した。
半導体
