研究課題
若手研究(B)
本研究課題では、InAs自己形成量子ドットにおける電荷・スピン検出に取り組んだ。まず電荷検出に関しては、検出対象の量子ドット近傍の別の量子ドットを検出器とすることで電荷検出を示唆する結果が得られた。また、量子ドットの静電環境感度向上のために電極形状を改良し、感度を2.5倍以上改善した。また優れたスピンコヒーレンスが期待されるSiGe量子ドットにも着目した。単一正孔トランジスタを作製し、近藤効果を観測した。
半導体低次元物性
