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本研究では次世代低温はんだであるSn58Bi (wt%)はんだの高密度電流下エレクトロマイグレーション(EM)損傷機構を解明し、はんだ接合の信頼性向上対策および金属リサイクル技術への応用を提案した。開発した最小長さが50μmはんだ接合を含め、異なる長さを有するはんだ接合試験片に基づいて、EM損傷発生の臨界条件を高精度に推定することを実現した。これと共に、はんだの寸法減少による金属間化合物層の成長挙動および局所的電気抵抗・温度の変化も調査した。さらに、人工保護膜コーティングまたは微量元素の添加によるSn58BiはんだのEM耐性向上対策を提案し、その効果を実証した。
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