研究課題
若手研究(B)
水素と欠陥の積極的制御によりシリコン表面の塑性特性の向上を試みた.反応性イオンエッチングにより導入した欠陥に水素を捕捉させ、押し込み試験により塑性特性を評価した.同じ荷重下において欠陥と水素のどちらか一方では押込み深さへの影響はなく,両者が存在する場合のみ,押込み深さが増加する傾向が認められた.また押込み深さを浅くすると欠陥と水素の影響が相対的に大きくなることから,表面近傍のみが塑性変形しやすく,無欠陥のシリコン結晶とは明らかに異なった機械的性質であることが示唆された.
機械工学