研究課題
若手研究(B)
グラフェンは極めて高い熱伝導率を有し,電子デバイスのヒートスプレッダーとしての利用が期待されている.しかし,グラフェンの熱輸送性質は界面効果の影響を大きく受け,性能が大きく低下する可能性がある,その界面効果の定量的に明らかにすることが必要.本研究は,T型とH型MEMSデバイスを利用して,単層懸架グラフェンリボンの熱伝導率を計測しました.基板を支えるグラフェンより,懸架グラフェンの熱伝導率は非常に高い,2000W/mK以上です.グラフェン界面フォノン散乱の重要な影響を解明しました.
工学