微小共振器構造を有するEr原子層ドープ半導体の作製および単一光子発生

2016 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15K18035
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 埼玉大学
• 研究代表者: 高宮 健吾 埼玉大学, 総合技術支援センター, 専門技術員 (70739458)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2017-03-31
• キーワード: 単一光子 / エルビウム / 原子層ドープ / 微小共振器構造 / 非古典光源

研究成果の概要

量子情報技術の分野で重要な役割を担っている単一光子源の実現に向けて様々な試みで研究が行われている。本研究ではEr発光の特長に着目し、長距離伝送、温度特性に優れた単一光子源の実現を目的として研究を行った。
Er原子層ドープGaAsにおいてGaAsキャップ層の成長温度と成長時間を変えることでEr発光中心の数を制御できることを見出した。GaAs/AlAs多層膜ミラーを設計し、GaAs/AlAs分布ブラッグ反射鏡を有するEr原子層ドープGaAsを作製し、Er発光の増強に成功した。

自由記述の分野

光エレクトロニクス