| 研究課題/領域番号 |
15K18036
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 名城大学 (2016)
千葉大学 (2015) |
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研究代表者 |
今井 大地 名城大学, 理工学部, 助教 (20739057)
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| 研究協力者 |
吉川 明彦 千葉大学, 産業連携学術研究推進機構スマートグリーンイノベーション研究拠点, 特任教授
草部 一秀 千葉大学, 産業連携学術研究推進機構スマートグリーンイノベーション研究拠点, 特任准教授
王 科 千葉大学, 産業連携学術研究推進機構スマートグリーンイノベーション研究拠点, 特任准教授
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| 研究期間 (年度) |
2015-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 1分子層InN / 窒化物半導体 / 短周期超格子 |
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| 研究成果の概要 |
1ML-InN/nML-GaN(nは整数)短周期超格子(SPS)による擬似InGaN混晶のバンドエネルギー(Eg)は、InNとGaNの層厚比を実効In組成とみなすため離散的な値に限られる。本研究では、層厚比に加えてディスク状1ML-InNのディスクサイズ=InN面内被覆率も制御することで、擬似InGaN混晶のEgの連続制御を提案した。その結果、1ML-InNの面内被覆率を変化させた一連の1ML-InN/4ML-GaN SPSによる擬似InGaN混晶試料において、Egが連続的に制御できること、また擬似混晶のEgが、同じ実効In組成の3元InGaN混晶に対し小さくなることがわかった。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学
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