2016 年度研究成果報告書

イオン性BaSi2半導体による高効率薄膜太陽電池の創製

研究課題

研究課題/領域番号	15K18040
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	山梨大学
研究代表者	原康祐山梨大学, 総合研究部, 特任助教 (40714134)
研究期間 (年度)	2015-04-01 – 2017-03-31
キーワード	シリサイド半導体 / 太陽電池 / 真空蒸着
研究成果の概要	資源豊富な元素から成る高効率薄膜太陽電池の基盤構造として、硫化スズ(SnS)/珪化バリウム(BaSi2)ヘテロ接合を提案し、SnS/BaSi2ヘテロ接合太陽電池の実現を目指して研究を行った。研究期間内に太陽電池動作は確認できなかったが、その要因の一つがBaSi2層表面の酸化にあることを明らかにした。そして、BaSi2成膜後の熱処理時間の最適化とアモルファスSi被覆により、表面酸化を大きく抑制することに成功した。SnS/BaSi2構造作製への適用により太陽電池動作の観測が期待される。
自由記述の分野	材料工学