薄膜化による歪み制御を施した四面体基強誘電体の分極反転制御

2016 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 15K18212
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 無機材料・物性
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 安井 伸太郎 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 助教 (40616687)
• 研究期間 (年度): 2015-04-01 – 2017-03-31
• キーワード: ferroelectrics / thin films / epitaxial strain / tetrahedral

研究成果の概要

本研究は四面体構造および四面体/八面体ハイブリット構造を有する新規強誘電体の開発およびその強誘電性を実証することを目的とした。実験および第一原理計算の結果より、ウルツアイト型の四面体基強誘電体は分極反転に0.25eVの反転エネルギーを必要とする事が分かった。またハイブリット構造においては、k-Al2O3型構造をモデルとして適応し、反転エネルギーは0.1eVで実験的に分極反転を確認することができた。

自由記述の分野

無機材料・物性