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2018 年度 実績報告書

多波長レーザー照射と基板ナノ構造制御による紫外発光型単結晶性酸化物薄膜の室温成長

研究課題

研究課題/領域番号 15K20988
研究機関東京工業大学

研究代表者

松田 晃史  東京工業大学, 物質理工学院, 講師 (80621698)

研究期間 (年度) 2015-04-01 – 2019-03-31
キーワードワイドギャップ半導体 / 酸化ガリウム / エピタキシャル薄膜 / エキシマレーザーアニーリング / 固相エピタキシー / バッファ層 / 室温エピタキシー / 薄膜構造解析
研究実績の概要

本研究はオプトエレクトロニクス・パワーエレクトロニクス分野に貢献するワイドバンドギャップ半導体の低温合成プロセスを追究するものである。本研究では特にβ型酸化ガリウム(β-Ga2O3; Eg~4.9 eV)について、基板表面形態制御による結晶核形成サイトおよび成長方位の制御、岩塩型バッファ層の極性面を用いた薄膜―基板間面内格子不整合の低減、また界面におけるエキシマ光吸収と熱過程を介した固相結晶化による室温エピタキシャル結晶化プロセスを創成し、そのエネルギー吸収と配向結晶化過程について明らかにした。KrFエキシマレーザ(波長248 nm、5 eV相当)を用いるいずれも基板非加熱の(1) パルスレーザ堆積法による岩塩型バッファ層および非晶質前駆体Ga2O3薄膜(Eg~4.3 eV)の合成、(2) レーザアニールによる固相結晶化過程の二段階プロセスでβ-Ga2O3(-201)(101)エピタキシャル薄膜合成を得た。その初期過程では、基板表面の制御された周期的ファセットを基点とする結晶核形成、またNiOなど岩塩型バッファ層において単一元素で構成される(111)極性面がβ-Ga2O3(-201)(101)エピタキシャル結晶化の初期過程において面内異方性の形成に重要であることが明らかとなった。配向結晶成長過程に関する透過型電子顕微鏡観察では薄膜―バッファ相界面から0.1 nm;/pulse程度で結晶化が進行していることが明らかになった。さらに、薄膜表面では(-201)配向であった一方、バッファ層および基板の近傍において急冷過程による生成が報告された(101)配向を含むβ-Ga2O3(-201)(101)双晶構造がみられた。エキシマレーザーアニーリングによる固相エピタキシーにおけるエネルギー吸収と熱過程において、比較的高熱伝導率である単結晶基板を介した熱拡散の寄与が明らかとなった。

  • 研究成果

    (9件)

すべて 2019 2018

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (8件) (うち国際学会 1件、 招待講演 1件)

  • [雑誌論文] Tuning of structural, optical band gap, and electrical properties of room-temperature-grown epitaxial thin films through the Fe2O3:NiO ratio2019

    • 著者名/発表者名
      Seo Okkyun、Tayal Akhil、Kim Jaemyung、Song Chulho、Chen Yanna、Hiroi Satoshi、Katsuya Yoshio、Ina Toshiaki、Sakata Osami、Ikeya Yuki、Takano Shiori、Matsuda Akifumi、Yoshimoto Mamoru
    • 雑誌名

      Scientific Reports

      巻: 9 ページ: 4304

    • DOI

      10.1038/s41598-019-41049-9

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [学会発表] パルスエキシマレーザー照射によるβ-Ga2O3薄膜の室温固相エピタキシーにおける結晶化過程の評価2019

    • 著者名/発表者名
      森田 公之、大賀 友瑛、土嶺 信男、金子 智、松田 晃史、吉本 護
    • 学会等名
      2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] ワイドギャップ酸化物半導体薄膜の室温エピタキシャル合成2019

    • 著者名/発表者名
      松田 晃史
    • 学会等名
      日本セラミックス協会 2019年年会
    • 招待講演
  • [学会発表] Solid-Phase Heteroepitaxy and Synchrotron Radiation Analyses of β-Ga2O3 Thin Films Fabricated by Room-Temperature Laser Processes2018

    • 著者名/発表者名
      Akifumi Matsuda, Hiroyuki Morita, Tomoaki Oga, Yanna Chen, Okkyun Seo, Osami Sakata, Nobuo Tsuchimine, Satoru Kaneko, Mamoru Yoshimoto
    • 学会等名
      2018 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 国際学会
  • [学会発表] Physicochemical Effect of Buffer Layer on β-Ga2O3 Solid-Phase Epitaxy by Excimer Laser Annealing2018

    • 著者名/発表者名
      Akifumi Matsuda, Kisho Nakamura, Hiroyuki Morita, Nobuo Tsuchimine, Osami Sakata, Satoru Kaneko, Mamoru Yoshimoto
    • 学会等名
      60th Electronic Materials Conference
  • [学会発表] UV光励起を使ったワイドギャップβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の室温合成2018

    • 著者名/発表者名
      森田 公之、大賀 友瑛、土嶺 信男、金子 智、松田 晃史、吉本 護
    • 学会等名
      日本セラミックス協会 第31回秋季シンポジウム
  • [学会発表] アモルファスGa2O3薄膜のエキシマレーザー照射による室温固相エピタキシーにおける作製因子の検討2018

    • 著者名/発表者名
      森田 公之、大賀 友瑛、土嶺 信男、金子 智、松田 晃史、吉本 護
    • 学会等名
      2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] 紫外エキシマ光/レーザー照射によるβ-Ga2O3薄膜の室温固相結晶化プロセスの検討2018

    • 著者名/発表者名
      大賀 友瑛、森田 公之、池谷 侑紀、土嶺 信男、金子 智、松田 晃史、吉本 護
    • 学会等名
      2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] 岩塩型Ni(1-x)Fe(x)O薄膜の室温エピタキシャル成長と特性評価2018

    • 著者名/発表者名
      池谷 侑紀、土嶺 信男、金子 智、Okkyun Seo、坂田 修身、松田 晃史、吉本 護
    • 学会等名
      2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会

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公開日: 2019-12-27  

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